Cree LED 的 EZBright® LED 芯片是最新一代的固态 LED 发射器,它将高效 InGaN 材料与 Cree LED 专有的光学设计和器件技术相结合,为高亮度 LED 提供了卓越的价值。该光学设计最大限度地提高了光提取效率,并实现了朗伯辐射模式。EZ™ LED 芯片可使用助焊剂共晶法以及导电环氧树脂、焊膏或焊料预型件进行连接。这些垂直结构、低正向电压 LED 芯片的高度约为 220 毫米。Cree LED 的 EZ 芯片经过测试,符合光学和电气规格。这些 LED 芯片应用广泛,包括汽车照明、普通照明和移动闪光灯。
特点
- 朗伯辐射模式
- 阳极向上设计(p-pad 向上)
- EZBright LED 技术(350 mA)
- 450 纳米 - 660+ mW
- 460 纳米 - 600+ mW
- 470 纳米 - 580+ mW
- 527 纳米 - 340+ mW
- 低正向电压 (Vf) - 2.85 V typ
- 最大直流正向电流 - 2000 mA
- 250V,1A 类 ESD 额定值
- 背面金属选项:
- 用于焊剂共晶连接的 AuSn、
导电胶、焊膏
和焊料预型件
- 用于低温焊剂的 LTDA
共晶连接
应用
- 普通照明
- 飞机
- 装饰照明
- 任务照明
- 户外照明
- 白色 LED
- 投影显示屏
- 汽车照明
- 前大灯
- 日间行车灯
- 雾灯
- 售后市场指示灯
- 移动闪光灯
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