电压预放大器 2003BT

电子

- 低噪音设计：0 pF时低于2.0 keV（Si）。 - 高能量率能力：每秒高达2 x 106 MeV - FET输入，二极管保护 - 独立的能量和快速定时输出 - 在0 pF时快速上升时间小于3 ns - 体积小 - 能够在真空室中运行 2003BT型电荷敏感FET输入前置放大器是为硅探测器的最佳性能而设计的，如Mirion钝化植入式平面硅（PIPS）探测器和传统的硅表面屏障（SSB）探测器。作为一个电荷-电压转换器，该装置接受探测器在每个吸收的核事件中产生的电荷载体。然后，输出端提供一个与收集的电荷成正比的电压，速率为每pC 0.45 V。这意味着室温硅探测器的增益为每MeV 20 mV。 对于典型的正偏硅探测器的使用，极其线性的能量输出提供了一个正极性脉冲，是能量光谱学的理想选择。吻合的定时输出提供了一个负极性的快速分化脉冲，是解决核事件时间的理想选择。 该设计的高电荷率能力体现在与硅探测器一起使用时，每秒的能量率能力大于2 x 106 MeV。为了充分利用这种高计数率能力，应使用具有相应高计数率能力的主放大器，如2025型或2026型放大器。 前置放大器的基本操作在功能原理图中有所说明。