反向电极(REGe)检测器在几何上与其他同轴锗检测器相似,但有一个重要的区别。
- 从3 keV到>10 MeV的光谱分析
- 超薄的离子植入式触点
- 抗辐射损伤
- 卓越的时间分辨率
- 高能量率能力
- 配有智能前置放大器
- 二极管场效应管保护
- 暖机/高压关机
- USB 2.0 串行接口
反向电极(REGe)探测器的几何形状与其他同轴锗探测器相似,但有一个重要区别。REGe检测器的电极与传统的同轴检测器相反,因为p型电极(离子植入的硼)在外面,而n型触点(扩散的锂)在里面。这种电极安排有两个优点--窗口厚度和抗辐射损伤。
与扩散锂接触相比,离子植入的外部接触极薄(0.3μm),使REGe探测器能够覆盖从3 keV到几MeV的广泛能量范围。REGe探测器通常配备一个碳纤维复合窗,它很坚固,并能提供低于10KeV的出色传输。铍或铝窗也是可用的。当对20KeV以下的能量不感兴趣并且需要提高坚固性时,首选铝。应选择铍,以充分利用REGe检测器的低能量能力(低至3KeV)。
已经发现,主要由中子或带电粒子造成的辐射损伤会导致锗中的空穴陷落。
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