- 能量范围从40 keV到>10 MeV
- 高分辨率--良好的峰形
- 卓越的时间分辨率
- 高能量率能力
- 配有智能前置放大器
- 二极管FET保护
- 暖机/HV关机
- USB 2.0 串行接口
传统的同轴锗探测器通常被称为纯锗、HPGE、本征锗或超纯锗。无论使用哪种高级术语,该探测器基本上是一个圆柱形的锗,其外表面有一个n型触点,而在一个轴向井的表面有一个p型触点。锗的净杂质水平约为1010原子/立方厘米,因此在适度的反向偏压下,电极之间的整个体积被耗尽,电场延伸到这个活性区域。该区域内的光子相互作用产生电荷载流子,这些载流子被电场扫到其收集电极上,在那里,一个电荷敏感的前置放大器将该电荷转化为与沉积在探测器中的能量成比例的电压脉冲。
n型和p型触点,或电极,通常分别是扩散锂和植入的硼。外侧的n型扩散锂触点约为0.5毫米厚。内层触点的厚度约为0.3微米。可以用一个表面屏障代替植入的硼,效果相同。
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