对于已通过激光烧蚀打开 SiNx 层的下一代硅太阳能电池,机科直接电镀线 (DPL) 可以将一层密集的 Ni-Ag、Ni-Cu-Ag 或 Ni-Cu-Sn 贴在高欧姆发射器上。 由于正面金属化不再需要 Ag 膏,因此能效提高高达 1%(abs),并大幅降低成本(美元/WP)。
主要特点
-垂直产品处理
-电镀化学品的低拖卸
-紧凑的机器设计/易于维护
-在线电镀工艺/高启动时间
-效率提高:直接金属化高达 1%(abs)
-物料清单(BOM)低于 0.05 美元/WP,因此不再低于更多前端金属化需要 Ag
-成熟的机器概念(半导体行业中的 350 台机器)
-机械
规格的工艺启动
-电池尺寸:5 x 5",6 x 6"
-金属选择:Ni-Ag,Ni-Cu-Ag 或 Ni-Cu-Sn
-种子层:硅发射器(< 120 欧姆/方)
-工艺速度: 1500-3000 个百高时 (试验生产线:100-500 个百高时)
-生产能力:50-100 兆瓦
-电池效率提高:高达 1% (百分比)
-在银浆中节省:100%
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