应用
硅离子植入式阿尔法检测器是为了实现精确的阿尔法光谱学而设计的。探测器的薄入口窗口提供了良好的能量分辨率,即使在接近阿尔法放射源的情况下也能提供高效率的阿尔法粒子登记。
特点
由于检测器晶体内部的P-N结的位置,该检测器可以在没有密封的情况下运行。
触点是用离子植入法形成的,并提供薄而良好的结点
相对较薄的死层(小于500埃)。
高稳固性的入口窗口
可以在真空中工作
探测器的退火温度可高达100°C
探测器可以被包装在不同的包装中,带有BNC或MICRODOT连接器或导线,以适应不同客户的需要。
探测器的生产可采用开放式窗口或金属化窗口
一种特殊版本的离子植入式硅阿尔法粒子检测器的入口窗口有金属化涂层,使检测器可以监测放射性气溶胶。这是具有特色的探测器的特殊版本。
允许探测器在环境光下运行
金属涂层提供机械和化学保护。入口窗口的厚度小于2μm
可以在偏置电压下运行-从+15到+24 V
描述
硅离子植入式阿尔法检测器能够实现精确的阿尔法粒子光谱学。探测器薄薄的入口窗口提供了良好的能量分辨率,即使在靠近阿尔法放射源的地方,也能提供高效率的阿尔法粒子登记。
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