DDR3内存模块 DDR3 8Gbit

随着 DRAM 市场稳步迁移到 DDR4 存储器，几家主要制造商已经宣布生产基于高密度 DDR3 8 Gbit 元件的 DDR3 模块，包括元件的 EOL 通知。 然而，网络和嵌入式行业的相当多的客户仍然无法转换到最新一代，并继续使用需要特定 DDR3 存储器的传统系统，如 VLP RDIMM 或高密度 SO-DIMM。 为了避免可能对这些客户的业务运营产生不利影响的供应短缺，ATP 决定为这些模块提供自己的 DDR3 8 Gbit 组件。 ATP 制造、特性和测试从 IC 到模块 ATP 自己制造的 DDR3 模块由精心设计和测试的高品质集成电路 (IC) 组成。 这些元件采用 2x nm 制造工艺技术，根据 ATP 的严格标准制造，并通过广泛的元件测试程序进行测试，以提高整体存储器模块性能。 ATP DDR3 8 Gbit 组件是免费的行锤效应，从而防止任何灾难性的随机位翻转由细胞的电荷泄漏到相邻细胞，并先后写入数据给它们。 在模块级别，ATP 在生产流程中进行 100% 的燃烧 (TDBI) 测试，以保证模块的高质量。 主要特性 ATP 构建、特性和测试从 IC 到模块 在烧入期间 100% 测试 (TDBI) 提供单芯片 8 Gb 单芯片选择 (1CS) 提供 8 Gb DDP 双芯片选择 (2CS) 使用寿命支持