SAM G 系列针对超低功耗和高性能应用进行了优化。这些器件外形小巧,基于 Arm® Cortex®-M4F 内核,并与浮点运算单元 (FPU) 相结合,在 3 × 3 毫米的 49 球 WLCSP 微型封装中提供了无与伦比的效率。SAM G 系列优化了高效串行外设,包括 12 位模数转换器 (ADC)、直接内存访问 (DMA) 和良好的 SRAM 闪存比。SAM G 器件是传感器集线器和电池供电消费类应用的理想之选。
SAM G 系列有四个系列:SAM G51、SAM G53、SAM G54 和 SAM G55。这些器件完全兼容,甚至包括 WLCSP 封装。
SAM G51 系列闪存 MCU 基于带 FPU 的高性能 32 位 Arm Cortex-M4 RISC 处理器。它的最高运行速度为 48 MHz,具有多达 256 KB 的闪存和多达 64 KB 的 SRAM。外设集包括一个 USART、两个 UART、两个 I2C 总线接口 (TWI)、一个高速 TWI、最多两个 SPI、一个三通道通用 16 位定时器 (TC)、一个实时定时器 (RTT) 和一个 8 通道 12 位 ADC。
SAM G53 系列闪存 MCU 基于带 FPU 的高性能 32 位 Arm Cortex-M4 RISC 处理器。它的最高运行速度为 48 MHz,具有高达 512 KB 的闪存和 96 KB 的 SRAM。外设集包括一个 USART、两个 UART、三个 I2C 总线接口 (TWI)、最多两个 SPI、两个三通道通用 16 位定时器、两个带双向单通道脉冲密度调制的 I2S™ 控制器、一个 RTT 和一个 8 通道 12 位 ADC。
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