薄膜电容器 CHR series
ESR损耗因数干式

薄膜电容器 - CHR series - Anwo Electronic - ESR / 损耗因数 / 干式
薄膜电容器 - CHR series - Anwo Electronic - ESR / 损耗因数 / 干式
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产品规格型号

类型
薄膜
技术特性
ESR, 损耗因数, 干式, 塑料, 标准
电容

最多: 10 µF

最少: 0.04 µF

电压

最多: 3,000 V

最少: 500 V

产品介绍

一般技术特征 参考标准:IEC 61071 60068 60384 气候类别:40/85/56 40/85/56 绝缘体:聚丙烯薄膜 结构:金属化扩展膜、干式结构 特点:低ESR、低Ls、高du/dt、高接触可靠性。 低ESR,低Ls,高du/dt,高接触可靠性。 涂层 : 耐用塑料外壳,树脂密封,阻燃。 执行(UL94V0) 引线。 导线螺丝 M8 电气特性 工作温度:-40~+85℃(最大热点≤70℃)。 储存温度:-40~+85℃。 电容:0.04~10μF。 额定电压:500v至3000Vac 耗散系数。 <0.0005(1k Hz 20±5℃) 公差:±5%(J) ±10%(K) 预期寿命:UN时为100,000小时,70℃时为70小时。 测试方法和性能测试 在25±5℃的条件下,2.0Un端子间施加10s的测试电压。 端子与外壳之间的测试电压:3KV 50Hz,60秒。

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PDF产品目录

* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。