薄膜电容器 CLD series
铝制ESR损耗因数

薄膜电容器 - CLD series - Anwo Electronic - 铝制 / ESR / 损耗因数
薄膜电容器 - CLD series - Anwo Electronic - 铝制 / ESR / 损耗因数
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产品规格型号

类型
薄膜, 铝制
技术特性
ESR, 损耗因数, 标准
电容

最多: 3,200 µF

最少: 32 µF

电压

最多: 1,000 V

最少: 600 V

产品介绍

一般技术特征 参考标准:IEC 61071-60068 气候类别:40/85/56 40/85/56 绝缘体:聚丙烯薄膜 构造:金属化延伸膜,干燥 建筑业 特点:低ESR,低Ls,大电流,高电流。 低ESR,低Ls,大电流,大电流。 提高可靠性 外壳:铝合金外壳 电气特性 工作温度:-40~+85℃(最大热点≤70℃)。 储存温度:-40~+85℃。 电容:33~3200μF。 额定电压700至4000Vdc 公差:±5%(J) ±10%(K) 不合格率。 50FIT 耗散系数≤2×10-3 在100Hz下测量 25℃。 预期寿命:UN时为100,000小时,70℃时为70小时。 测试方法和性能测试 端子间测试电压1.5Un(20±5℃时10s)。 试验电压端子和外壳:3000Vac,(60s 50Hz 20±5℃)。 绝缘电阻(C*Ri):1分钟后≥10000秒。 在100Vdc(25±5℃)的情况下通电。

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