反射式设计
低插入损耗
0.35 dB至2.8 GHz(典型值)
0.40 dB至3.8 GHz(典型值)
TCASE = 105°C时高功率处理能力
长期(>10年)平均能力
连续波功率:39 dBm
LTE信号
平均功率:39 dBm
峰值功率:49 dBm
高输入线性度,IP3:84 dBm(典型值)
ESD额定值
HBM:2000 V,2级
CDM:1000 V,C3级
单电源供电,集成NVG
正控制,LVCMOS/LVTTL兼容
4 mm x 4 mm、22引脚LGA封装
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz,具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号,该器件具有39 dBm(连续波信号)、39 dBm(平均值)和49 dBm(峰值)的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG),可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电,同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为−40°C至+105°C。
5G天线倾斜
无线基础设施
军事和高可靠性应用
测试设备
引脚二极管替代器件