STMicroelectronics/意法半导体晶体管

电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V

意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...

电流: 24 A
电压: 1,700 V

... 该装置采用了平面扩散式集电极技术，该技术是为适应高清CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"（EHVS1）。 新的HD产品系列显示了改进的硅效率，为水平偏转阶段带来了更新的性能。 所有特点 最先进的技术：扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源包 ...

电流: 8 A
电压: 600 V

... 这款 IGBT 采用先进的 PowerMESH™ 工艺，在开关性能和低导通特性之间实现了出色的权衡。 所有特性 更低的导通压降（VCE(sat) 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的 CRES / CIES 比率（无交叉传导电感） 短路耐受时间 10µs ...

电流: 8 A
电压: 600 V

... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...

电流: 8 A
电压: 600 V

... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...

电流: 8 A
电压: 600 V

... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...

电流: 30 A
电压: 600 V

... 该IGBT采用先进的PowerMESH工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 低导通电压降（VCE(sat)）。 短路耐受时间10μs 低Cres/Cies比率（无交叉传导敏感度） IGBT与超快速自由旋转二极管共同封装 ...