Littelfuse/力特瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列

SP3213是一款双向瞬态抑制二极管阵列，具有超低电容，为可能受到破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高级别保护。 0.09pF的电容典型值有助于在最具挑战性的消费电子产品接口中实现极佳的信号完整性，例如USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt和V-by-One®。 它可在±12kV条件下安全吸收反复性ESD震击（接触放电，IEC ...

SP1333背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。 这种二极管可为电子设备提供较高水平的ESD（静电放电）保护。 SP1333 TVS可安全吸收IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大接触放电，且性能不会下降。 背对背配置可为数据线提供对称ESD保护。 此外，SP1333的箝位电压低，可提供高达5A ...

电压阈值: 24 V

AQ24CANA瞬态抑制二极管阵列设计用于保护汽车控制器区域网络（CAN）免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）及其它过压瞬变造成的线路损坏。 AQ24CANA可以吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最大ESD的反复震击而不会发生性能退化，并可安全耗散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5 2版 ...

电压阈值: 5 V

SP1305瞬态抑制二极管阵列可保护灵敏设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损坏。 SP1305能安全地吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定之最高级别的反复性ESD放电，无需担心其性能的减退，并可在极低的箝位电压下安全地耗散5A的8/20μs波形浪涌电流（IEC- ...

电压阈值: 5 V

SRV05-4HTG-D将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起，保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌事件的危害。 这款功能强大的器件可根据IEC61000-4- 5 (tP=8/20μs) 标准安全地吸收10A浪涌电流，且性能不会下降。根据IEC 61000-4-2标准，ESD的最小值为±30kV。极低的负载电容也使得这款器件成为保护高速信号引脚的理想之选。 功能与特色: • ...

电压阈值: 5 V

AQ3400集成了2个通道的低电容控向二极管及一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。 AQ3400可在高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8kV接触放电）情况下，安全吸收反复性ESD放电，其性能不会减退。 较低的断态电容使其成为保护USB2.0或USB 3.0和1Gb以太网等高速信号线路的理想选择，其动态电阻极低，可保护最灵敏、最先进的芯片组免受ESD损坏。 功能与特色: • ...

电压阈值: 3.3 V

... 5第2版)和高达±30kV ESD (IEC 61000-4-2)的情况下为四个信道提供保护，并可提供紧凑型μDFN封装。 由于兼具低电容和低钳位电压，SP3384NUTG可针对2.5G/5G/10G以太网高速数据接口提供可靠的保护解决方案，同时避免信号衰减，提高各种应用的可靠性。 功能与特色: • 低电容(每个I/O 0.5pF)和低箝位电压(4V@Ipp=1A) • 紧凑型μDFN封装(3.0 ...

电压阈值: 3.3 V

SP3401专为保护高速接口免因静电放电（ESD）损坏而设计，例如DisplayPort接口和USB 3.1 Gen 1。 信号线路由瞬态抑制二极管保护，提供典型值低至0.35 pF的线路电容。 SP3401可安全吸收高达±18 kV接触放电的反复性ESD震击，超过IEC 61000-4-2 4级要求（±8kV接触放电）。 卓越的低电容、箝位能力、低泄漏和快速响应时间使得此零件成为保护高速数据线路的理想解决方案。 功能与特色: • ...

电压阈值: 3.3 V

... • EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns） • 雷击，IEC 61000- 4-5第2版，6A (tP=8/20μs) • 1.5V (TYP)条件下电容低至0.32pF • 电压3.3V时的低泄漏电流为0.02μA（TYP） • 低工作电压和箝位电压 • 符合AEC-Q101 • 无卤素，无铅，符合RoHS • ...

电压阈值: 3.3 V

Littelfuse新推出的宽带保护器件为10/100/1000 BaseT 以太网、T3/E3 DS3 接口、ADSL2+和VDSL2+等设备提供过压保护。 该保护器集成瞬态电压抑制（TVS）二极管元件和二极管整流桥，单组件便可提供纵向（常规模式）和差动双重保护。 ...