LEEG数码补偿压力变送器

压力范围: 0.2 bar - 400 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C

优势 1.先进的单晶硅压力传感器技术与专利封装工艺，精心研制出的一款国际领先技术的高性能压力变送器 2.双膜片过载结构，从容应对高过载考验 3.用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精度与快速应答 4.显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 5.按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 6.高性能DMP305X单晶硅压力变送器，国际领先技术与中国智造的完美结合 7.坚固优质的不锈钢过程法兰，臻厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载的强大保障 ...

压力范围: 0.01 bar - 100 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C

1.双膜片过载结构，从容应对高过载考验 2.显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 3.高强度的金属电气保护壳体，内在厚实坚固，满足苛刻的环境运用 4.强大耐瞬变电压保护端子模块 5.外部三按键菜单功能实现现场操作，全隔离磁感应结构，满足隔爆要求现场的安全操作规范，按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 特征 测量范围: 1kPa-10MPa 输出信号: 4-20mA，4-20mA+HART, RS485 参考精度: ±0.2%,±0.1%,±0.05% ...

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - ...

压力范围: 0.04 bar - 10 bar
工艺温度: -40 °C - 180 °C

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - ...

压力范围: 4,000 Pa - 1,000,000 Pa
工艺温度: -40 °C - 180 °C

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - ...

... SMP858-TST压力变送器是利洁时精心设计的一款具有国际领先技术的高性能压力变送器。传感器位于金属体顶部，远离介质界面，实现了机械隔离和热隔离。玻璃烧结的传感器导线实现了金属基体的高强度电绝缘，提高了电子电路的灵活性和瞬态耐压保护能力。所有这些独创的封装技术使SMP858-TST能够轻松应对极端的化学场合和机械负荷，并拥有强大的抗电磁干扰能力，足以应对最严苛的工业环境应用。 - ...

压力范围: 0.1 bar - 30 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C