LEEG模拟液位变送器

液位范围: 5 m - 200 m
工艺温度: -10 °C - 70 °C

液位范围: 0.4 m - 100 m
工艺压力: 0.04 bar - 10 bar

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - 单晶硅技术压力传感器 - 双膜片过载防护结构 - 集成电路与表面封装技术的信号变送模块 - ...

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中压力或液位测量应用。 优势 - 单晶硅技术压力传感器 - 双膜片过载防护结构 - ...

液位范围: 1 m - 200 m
工艺压力: 0.1 bar - 20 bar
工艺温度: -10 °C - 70 °C

优势 1.独创标定技术，无需任何工具轻松实现参数设置，支持用户配置，满足各种应用以及测量介质要求 2.陶瓷电容传感器技术，满足粘稠、酸碱特殊场合运用 3.对传感器的线性误差和温度误差补偿，满足高精度要求，内置耐瞬变电压保护电路，及可选配温度测量信号输出 4.全灌封工艺杜绝冷凝现象，双重密封工艺确保永久气密性，加强的电缆密封，确保了在受到较大机械负载时的长久使用寿命 特征 测量范围: 10kPa - 2MPa 输出信号: 4-20mA, 4-20mA+HART, ...

液位范围: 1 m - 100 m
工艺压力: 0.1 bar - 10 bar
工艺温度: -40 °C - 180 °C

测量范围: 10kPa-1MPa 输出信号: 4-20mA, 4~20mA/HART 参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL 介质温度: -40-120℃ 测量介质：液体、气体或蒸汽 防护等级: IP67 电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc 膜片材质: SS316L,哈氏合金 C 年稳定性: ±0.2% URL/5年 过程连接: DN50PN10, ...

液位范围: 1 m - 200 m
工艺压力: 1 bar - 20 bar
工艺温度: -10 °C - 70 °C

... LMP633 潜水液位变送器专为应对最苛刻的液位测量条件而设计。 它是满足所有高需求水平测量应用的最佳选择。 优势 • 独创校准技术，无需任何工具即可轻松实现参数设置。 • 支持用户配置，满足各种应用和测量介质的要求。 • 传感器的线性误差和温度误差补偿，实现高精度。 • 内置瞬态电压保护电路，可选温度测量信号输出。 全灌封设计，消除冷凝现象，双密封设计，确保永久空气密封性。 ...

工艺温度: -10 °C - 70 °C

... DMP305X单晶硅压力变送器是一种高性能的压力变送器。应用领域是压力、液位、差压、密度、界面、流量等。 1.压力类型。差压式 2.压力范围：200Pa~10MPa 3.过程温度:-40~120℃ 4.输出信号：4-20mA，4-20mA带HART 5.精度：0.05%F.S.,0.075%F.S. 6.保护等级。IP67 ...

液位范围: 1 m - 200 m
工艺压力: 0.1 bar - 20 bar
工艺温度: -10 °C - 70 °C

1.独创标定技术，无需任何工具轻松实现参数设置，支持用户配置，满足各种应用以及测量介质要求 2.基于激光焊接的隔离膜片技术，确保产品经久耐用，可选配多种传感器技术，满足粘稠、酸碱特殊场合运用 3.对传感器的线性误差和温度误差补偿，满足高精度要求，内置耐瞬变电压保护电路，及可选配温度测量信号输出 4.全灌封工艺杜绝冷凝现象，双重密封工艺确保永久气密性，加强的电缆密封，确保了在受到较大机械负载时的长久使用寿命 特征 测量范围: 10kPa - 2MPa 输出信号: ...