LEEG防爆燃压力变送器

压力范围: 200 Pa - 10,000,000 Pa
精确度: 0.05 %
工艺温度: -40 °C - 120 °C

... 第二代LEEG2035多变量变送器具有更先进的技术方案。单晶硅传感器，标准配置为哈氏合金C膜片材料，介质兼容性广，符合严格的防爆标准。 该产品的测试报告得到了CANS中国和ILAC的认可。完善的自诊断功能和良好的人机界面，红色背光的故障提示功能，便于现场及时发现问题。 LEEG 2035是一款高性价比的设备，可获得差压、绝对压力和温度的测量组合。它广泛应用于石油化工、天然气、环保工程、制药工程、食品工程、水利工程、海洋工程、工程机械、流体设备等场合。 - ...

压力范围: 0.2 bar - 400 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C

优势 1.先进的单晶硅压力传感器技术与专利封装工艺，精心研制出的一款国际领先技术的高性能压力变送器 2.双膜片过载结构，从容应对高过载考验 3.用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精度与快速应答 4.显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 5.按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 6.高性能DMP305X单晶硅压力变送器，国际领先技术与中国智造的完美结合 7.坚固优质的不锈钢过程法兰，臻厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载的强大保障 ...

压力范围: 200 Pa - 10,000,000 Pa
精确度: 0.05 %
工艺温度: -40 °C - 120 °C

优势 1.先进的单晶硅压力传感器技术与专利封装工艺，精心研制出的一款国际领先技术的高性能压力变送器 2.双膜片过载结构，从容应对高过载考验 3.用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精度与快速应答 4.显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 5.按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 6.高性能DMP305X单晶硅压力变送器，国际领先技术与中国智造的完美结合 7.坚固优质的不锈钢过程法兰，臻厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载的强大保障 ...

压力范围: 0.02 bar - 100 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C

优势 1.先进的单晶硅压力传感器技术与专利封装工艺，精心研制出的一款国际领先技术的高性能压力变送器 2.双膜片过载结构，从容应对高过载考验 3.用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精度与快速应答 4.显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 5.按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 6.高性能DMP305X单晶硅压力变送器，国际领先技术与中国智造的完美结合 7.坚固优质的不锈钢过程法兰，臻厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载的强大保障 ...

压力范围: 0.01 bar - 100 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C

1.双膜片过载结构，从容应对高过载考验 2.显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 3.高强度的金属电气保护壳体，内在厚实坚固，满足苛刻的环境运用 4.强大耐瞬变电压保护端子模块 5.外部三按键菜单功能实现现场操作，全隔离磁感应结构，满足隔爆要求现场的安全操作规范，按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 特征 测量范围: 1kPa-10MPa 输出信号: 4-20mA，4-20mA+HART, RS485 参考精度: ±0.2%,±0.1%,±0.05% ...

压力范围: 0.4 bar - 100 bar
工艺温度: -40 °C - 120 °C

... 优势 - 双膜片过载结构，可轻松应对高过载测试。 - 355°旋转显示模块，友好的按钮参数操作功能。 - 精确的填充液技术消除了温度和静压的影响。 - 高强度金属电气保护外壳满足最严格的环境应用。 - 强大的瞬态电压抵抗能力，保护终端模块。 主要规格 - 测量范围。40kPa-10MPa - 输出信号：4-20mA、4-20mA+HART、客户 - 参考精度：±0.15% URL, ±0.1% URL - 过程连接。M20*1.5（米），G1/2（米），G1/4（米），1/2-14NPT（米） - ...

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - ...

压力范围: 0.04 bar - 10 bar
工艺温度: -40 °C - 180 °C

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - ...

压力范围: 4,000 Pa - 1,000,000 Pa
工艺温度: -40 °C - 180 °C

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中液位测量应用。 优势 - ...