Infineon/英飞凌开关晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 ...

电流: 40 A
电压: 40 V

... OptiMOS™ 6功率MOSFET结合了同类最佳的RDS(on)和卓越的开关性能 OptiMOS™ 6功率MOSFET 40V系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点数字(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM ...

电流: 61 A
电压: 600 V

... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...

电流: 61 A
电压: 600 V

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电流: 61 A
电压: 600 V

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电流: 20 A
电压: 600 V

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电流: 18 A
电压: 600 V

... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信

电流: 9 A
电压: 600 V

... 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...

电流: 101 A
电压: 600 V

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电流: 101 A
电压: 600 V

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