Infineon/英飞凌电场效应晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

电流: 40 A
电压: 40 V

... OptiMOS™ 6功率MOSFET结合了同类最佳的RDS(on)和卓越的开关性能 OptiMOS™ 6功率MOSFET 40V系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点数字(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM ...

电流: 61 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...

电流: 61 A
电压: 600 V

优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN ...

电流: 61 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...

电流: 20 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...

电流: 18 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...

电流: 9 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...

电流: 101 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...

电流: 101 A
电压: 600 V

超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...