Apacer 内存模块

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

... Temperature SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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Apacer Technology B.V.
DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 16, 32 GB

... Temperature ECC UDIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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Apacer Technology B.V.
SDRAM内存模块
SDRAM内存模块

内存: 16, 32 GB

... Temperature ECC SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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Apacer Technology B.V.
DDR5 UDIMM内存模块
DDR5 UDIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

... Temperature UDIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

... 也有助于减少系统功耗与发热量,特别适用于需要低功耗与散热不易的工控系统。 SODIMM(Small Outline DIMM)内存模块符合JEDEC标准设计,小巧尺寸设计特别适用于有空间限制的系统,如笔记本电脑、小型工业计算机与嵌入式系统。采用最高质量原厂DRAM芯片制造,并通过严格测试筛选与兼容性验证,是兼具高效能、高稳定性与高兼容性的内存模块

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DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 32, 16, 8 GB

... 为系统提供绝佳的稳定性与可靠度。另一方面,DDR5 内存模块增加了电源管理功能,以电源管理IC(PMIC)的配置,高效控制系统电源负载,提升信号完整性与兼容性。此外,其仅1.1V的工作电压,也有助于减少系统功耗与发热量,特别适用于需要低功耗与散热不易的工控系统。 UDIMM(Unbuffered DIMM)内存模块符合JEDEC标准设计,适用于桌面计算机、工业计算机与嵌入式系统。采用最高质量原厂DRAM芯片制造,并通过严格测试筛选与兼容性验证,是兼具高效能、高稳定性与高兼容性的内存模块

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DDR3内存模块
DDR3内存模块

内存: 2, 4, 8, 16 GB

... 底部填充 (可选) 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利) (可选) ECC UDIMM(ECC无缓冲DIMM)是符合JEDEC标准的内存,专为需要高度稳定运行的服务器和工作站而设计。以最高质量的原厂内存芯片制造,它支持ECC功能来检测和纠正数据错误,以及内置的温度监控热传感器,以防止过热并提高内存的可靠性。

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DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

采用VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 支援ECC纠错与校正 288-pin,DDR5 ECC 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 ECC UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V ...

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DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

采用DRAM原厂高品质新世代DDR5 DRAM晶片 VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 4, 8, 16, 32 GB

抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备,如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域,以及使用于高浓度硫磺气体区域,如火山、温泉、与采矿区电子设备。 由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电,随着电阻被硫化,电阻的阻值逐渐增加,直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题,宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块,此创新研发设计亦已取得专利。

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